[1]华文玉.Ⅱ型量子阱In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y中激子的结合能[J].南京理工大学学报(自然科学版),1992,(03):10-13.
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Ⅱ型量子阱In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y中激子的结合能
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《南京理工大学学报》(自然科学版)[ISSN:1005-9830/CN:32-1397/N]

卷:
期数:
1992年03期
页码:
10-13
栏目:
出版日期:
1992-06-30

文章信息/Info

Title:
Binding Energies of Excitons in Ⅱ Type In1-x</sub> GaxAs/GaSb1-yAsy Quantum Well.
作者:
华文玉
华东工学院应用物理系
关键词:
激子 结合能 量子
摘要:
该文提出ρ和Z相耦合的试探波函数,采用变分法计算了Ⅱ型量子阱In1-xGaxAs/GaSb1-yAsy中激子的结合能。发现随合金组分(x,y)的增加结合能增加,随阱宽b的减小,结合能单调上升。当阱宽b在10 nm附近时,材料由半导体转变为半金属。此外,还与Ⅰ型量子阱GaAs/Ga1-xAlxAs中激子结合能作了比较。

相似文献/References:

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更新日期/Last Update: 2013-04-22